ウェハ中国語の意味
例文
- 図7(a)にCANON PLA501のウェハーチャックと光軸の関係,図7(b)に一般的なウェハーチャックと光軸の関係を示す。
图7(a)显示的是CANON PLA501的晶圆吸盘与光轴的关系,图7(b)显示的是普通晶圆吸盘与光轴的关系。 - では,IAPウェハーにおける金属の存在深さを求めることを目的として,市販のTXRF装置特有の三つのパラメーターを含む理論式を導出した。
接下来,以计算IAP晶圆中金属的存在深度为目的,导出了包括市场销售的TXRF装置所特有的三个参数在内的理论式。 - HF処理によりSiウェハーの自然酸化膜を除去した後,電流密度を1.67A/m2に設定し,5秒刻みで電着レジストを電着させた。
在通过HF处理去除Si晶圆上的自然氧化膜后,把电流密度设定为1.67A/m2,以5秒为单位,对电沉积光刻胶进行了电沉积。 - PLA501は,図7(a)に示すようにウェハーチャックが光軸に対して垂直になるように調整した後,ウェハーをチャッキングするため,レジストの側壁を垂直に形成できる。
对于PLA501,如图7(a)所示,因为是在将晶圆吸盘与光轴调整垂直后,卡紧晶圆,所以能够垂直地形成光刻胶的侧壁。 - PLA501は,図7(a)に示すようにウェハーチャックが光軸に対して垂直になるように調整した後,ウェハーをチャッキングするため,レジストの側壁を垂直に形成できる。
对于PLA501,如图7(a)所示,因为是在将晶圆吸盘与光轴调整垂直后,卡紧晶圆,所以能够垂直地形成光刻胶的侧壁。 - 上部ガラスウェハ(ガラス?1)は真空封止のため,300℃,30mTorrでガラス?1に?1kVの電圧を印加することによってSOIウェハと陽極接合される。
上部玻璃晶圆(玻璃-1)为了真空密封,在300℃,30mTorr下,通过向玻璃-1加载-1kV的电压,使其与SOI晶圆进行阳极键合。 - 上部ガラスウェハ(ガラス?1)は真空封止のため,300℃,30mTorrでガラス?1に?1kVの電圧を印加することによってSOIウェハと陽極接合される。
上部玻璃晶圆(玻璃-1)为了真空密封,在300℃,30mTorr下,通过向玻璃-1加载-1kV的电压,使其与SOI晶圆进行阳极键合。 - 超大規模集積回路(ULSI)の高集積化の進行に伴ってウェハープロセスへの清浄度の要求はますます厳しくなり,対象ごとに許容される汚染濃度の基準が定められるようになった。
随着超大规模集成电路(ULSI)的高集成化,对晶圆工序的洁净度要求也越来越严格,渐渐确立了针对每一个对象的容许污染浓度的标准。 - まず,両面酸化したシリコンウェハ((株)フェローテックシリコン,厚さ200μm,250μm,結晶軸<100>,抵抗率0.02Ω?cm以下)を基板として用いた。
首先,使用了双面氧化的硅晶圆((株)Ferrotec Silicon,厚度200μm,250μm,晶轴<100>,电阻率0.02Ω·cm以下)基板。 - 接触対象物には実際のボンディングパッドを想定し,Auめっきが施してあるウェハとAl?Cuスパッタが形成されているウェハを用い,印加電流30mA,210mVの条件で測定を行った。
设想接触对象物为实际的焊盘,研究人员使用镀Au的晶圆和形成了Al-Cu溅射层的晶圆,在加载电流30mA,210mV的条件下进行了测量。