バイポーラトランジスタ中国語の意味

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例文

  1. たとえば,バイポーラトランジスタやFETではリーク電流が増加し,ホトダイオードでは暗電流が増加する。
    例如,双极晶体管及FET的漏电流增加,光电二极管的暗电流增加。
  2. ベース層,コレクタ層をSiGeエピタキシャル層で形成することを除いて,Siバイポーラトランジスタと同一のプロセスを用いられる。
    除了在SiGe外延层形成基层和集电极层外,采用与Si双极晶体管相同的工艺。
  3. 回路の構造解析[Tanaka93]では回路の終端記号として外部端子,抵抗器,バイポーラトランジスタが用いられている.
    在电路的结构分析[Tanaka93]中,外部接头、电阻器、双极晶体管被用作电路的终端符号。
  4. なお,パルスモジュレータ出力のためのスイッチ素子はIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ,Insulated Gate Bipolar Transistor,MG90V2YS)であり,最大出力4kV,最大電流容量10Aである。
    另外,用于脉冲调制器输出的开关元件为IGBT(绝缘栅型双极晶体管,Insulated Gate Bipolar Transistor,MG90V2YS),最大输出为4kV,最大电流容量为10A。

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