简体版 繁體版 English
登録 ログイン

メモリセル中国語の意味

読み方:
"メモリセル"の例文"メモリセル"の英語

中国語に翻訳モバイル版携帯版

  • 存储单元メモリ存储器;记忆;存储;存储器(元件);记忆装置セル电池;网络;单元;地址;小室;隔室

例文

  • 閾値電圧を変更するためのスイッチはメモリセルに使用されるゲート幅の12倍のスイッチを使用した.
    关于更改临界值电压的开关,使用了相当于存储器单元栅宽12倍的开关。
  • Active信号を制御することによりメモリセルのバックゲート電圧を動的に変更し閾値電圧を変更する.
    通过控制active信号,动态更改存储器单元的背栅电压,进而更改临界值电压。
  • 多品種の混載DRAMモジュールをマージンの高いメモリセルを使って設計する米国ベンチャーなども現れた.
    美国也出现了使用昂贵保证金的存储单元来设计多品种混载DRAM组件的技术开发企业等。
  • Acell自体は一つのboolean値を保持するメモリセルで,現モデル候補に対応する(しない)Acellはその値が真(偽)となっている.
    Acell本身是一个具有boolean值的存储传感器,与现在的候补模型相对应(不对应)的Acell其值是真(伪)的。
  • D LCは,選択されたメモリセルのNウェルとPウェルのバイアス電圧を動的に変更することによりアクセスされていないメモリセルのリーク電流を小さく抑えることができる.
    动态更改所选的存储器单元的N型与P型偏向电压,DLC可以将未被访问的存储器单元的漏电流控制到最小。
  • D LCは,選択されたメモリセルのNウェルとPウェルのバイアス電圧を動的に変更することによりアクセスされていないメモリセルのリーク電流を小さく抑えることができる.
    动态更改所选的存储器单元的N型与P型偏向电压,DLC可以将未被访问的存储器单元的漏电流控制到最小。
  • ところがメモリ容量が少ないオンチップシステムへの応用を考えた場合,相互結合網部分のチップ面積がメモリセル部分のチップ面積と比較して相対的に大きくなる危険性がある。
    但是考虑到其在存储容量少的芯片级系统中的应用,将相互结合网部分的芯片面积和存储单元部分的芯片面积进行比较,则可发现它有相对增大的危险。
  • CPUが分岐命令またはジャンプ命令を実行しブロック4にアクセスした場合,ブロック4と14のメモリセルの閾値電圧が低く設定され,それ以外のメモリブロックは高い閾値電圧に設定される.
    CPU执行分歧命令或快捷命令,访问存储块4时,存储块4与14的存储器单元的临界值电压被调低,此外的存储块被设定为高临界值电压。
  • 同時にリーク電流密度は約5.8×10^{?8}A/cm2@±66kV/cm(±1V)と十分低い値が得られ,強誘電体メモリセルキャパシタ用途としても適用可能と考えられた。
    同时,漏电流密度获得了相当低的数值,约为5.8×10^{-8}A/cm2@±66kV/cm(±1V),估计也能适用于铁电存储器单元的电容器。
  • ポストベイク後に得られたPZT薄膜のリーク電流密度は±66kV/cm(±1V)において約5.8×10^{?8}A/cm2と十分低い値が得られ,強誘電体メモリセルキャパシタ用途として適用可能と考えられる。
    后烘后得到的PZT薄膜的漏电流密度在±66kV/cm(±1V)时约为5.8×10^{-8}A/cm2,得到的值足够低,因此可以认为能够适用于铁电存储器中的单元电容器。
  • もっと例文:  1  2
中国語→日本語 日本語→中国語